石英晶振你不知道的一些內(nèi)部結(jié)構(gòu)秘密
來(lái)源：http://www.xh458.com 作者：康比-夏明春 2012年04月30
現(xiàn)如今電子科技技術(shù)在高速發(fā)展，中國(guó)也迎來(lái)了電子商務(wù)科技的時(shí)代，很多電子產(chǎn)品已經(jīng)融入我們生活之中，人們?cè)絹?lái)越不開(kāi)這些電子玩意，由于電子時(shí)代的來(lái)臨從而帶動(dòng)了中國(guó)電子元件的發(fā)展，晶振行業(yè)也在微妙的發(fā)展過(guò)程中慢慢的崛起，當(dāng)然很多人還是不了解晶振是什么樣的概念，下面我們來(lái)簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)一下石英晶振的一些知識(shí)與結(jié)構(gòu)。
1、 標(biāo)稱(chēng)頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。
2、 工作頻率：晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)頻率所允許的偏差。也是我們通常所說(shuō)的PPM值,比如10PPM。
4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。
5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱(chēng)為年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容：與壓電石英晶振一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，
負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
11、 基頻：在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
12、 泛音：晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，
這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
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1、 標(biāo)稱(chēng)頻率：晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在產(chǎn)品外殼上。
2、 工作頻率：晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。
3、 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱(chēng)頻率所允許的偏差。也是我們通常所說(shuō)的PPM值,比如10PPM。
4、 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。
5、 老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱(chēng)為年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負(fù)載電容：與壓電石英晶振一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為
電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，
負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。
9、 動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
11、 基頻：在振動(dòng)模式最低階次的振動(dòng)頻率。
12、 泛音：晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，
這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
—康比電子
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