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石英晶振SG-615P,PTJ,PTW,STW,PHW,SHW,PCW進(jìn)口振蕩器貼片有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓,“SG-615P 18.8696MC0:ROHS”內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻,需要在凈化萬(wàn)級(jí)車間生產(chǎn),并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋,內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使組件在真空下電阻減小;3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一
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項(xiàng)目 | 記 號(hào) | SG-615P | 條 件 |
頻率 | f_nom | 2.21765~135MHZ | |
電壓 | Vcc | 1.8V 3.3V | |
頂點(diǎn)溫度 | Ti | +25±5°C | |
二級(jí)溫度系數(shù) | B | (−3.5±1.0)x10−8/°C2 | |
負(fù)載容量 | CL | 7.0pF/9.0pF/12.5pF | |
串聯(lián)電阻 | R1 | 65kÙ 最大值 | |
絕對(duì)最大激勵(lì)等級(jí) | DLmax. | 1μW | |
推薦激勵(lì)等級(jí) | DL | 0.1μW | |
并聯(lián)電容 | C0 | 0.8pF 典型值 | |
頻率老化程度 | f_age | ±3x10-6 | +25±3°C,第一年 |
工作溫度范圍 | T_use | -20°C~+70°C | |
保存溫度范圍 | T_stg | -55°C~+125°C | 單件保管一年 |
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“SG-615P 18.8696MC0:ROHS”晶振在產(chǎn)品應(yīng)用中頻率偏差超過(guò)要求怎么辦呢?
我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法:
調(diào)整外部電容,Cd和CG的值.
如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然.
可以采用不同負(fù)載電容(CL)的晶體試用.
試用晶體具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話.
請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ?正確的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后.根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況.
頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一.
下面的曲線表示晶體的電阻的特征:

普生廣告圖.jpg)
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